絶縁膜およびその形成方法、絶縁膜形成用組成物ならびに絶縁膜を有する積層体およびその形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：大渕美千栄 , 布施行夫 , 井上一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003396033
Publication number (International publication number)：2005159032
Application date： Nov. 26, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】低比誘電率であり、機械的強度および薬液耐性などにも優れ、半導体素子などにおいて好適に用いることができる絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明の絶縁膜の形成方法は、(A)ポリシロキサン化合物と、(B)前記(A)成分に相溶または分散するポリカルボシラン化合物とを含む膜に高エネルギー線を照射することを含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)ポリシロキサン化合物と、(B)前記(A)成分に相溶または分散するポリカルボシラン化合物とを含む塗膜に高エネルギー線を照射することを含む、絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L21/312 , C08L83/04 , H01L21/768

FI (3)：

H01L21/312 C , C08L83/04 , H01L21/90 Q

F-Term (37)：

4J002CP041 , 4J002CP081 , 4J002CP212 , 4J002GQ01 , 5F033QQ54 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW07 , 5F033WW09 , 5F033XX00 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH03 , 5F058BH17 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

シリカ薄膜形成用組成物およびシリカ薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-056882 Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

Cited by examiner (8)

シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-084475 Applicant：富士通株式会社
ULSI用途のためにシロキサンポリマーで処理されたナノポーラスシリカ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-519479 Applicant：アライドシグナルインコーポレイテッド
低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-002113 Applicant：富士通株式会社

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