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J-GLOBAL ID:200903029503095282

ダイヤモンド電子素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002370982
Publication number (International publication number):2004207272
Application date: Dec. 20, 2002
Publication date: Jul. 22, 2004
Summary:
【課題】順方向抵抗及び逆方向漏れ電流が小さく、実効効率が高い高性能なダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】ドーパント濃度が1×1017cm-3以上のn型半導体基板1上に、ドーパントをドープせずにアンドープダイヤモンド層2を形成し、アンドープダイヤモンド層2の上にホウ素を1×1019cm-3以上ドープして低抵抗のn型半導体にした高濃度ドープダイヤモンド層3を形成し、更に、高濃度ドープダイヤモンド層3の上には電極4を形成してダイヤモンド電子素子とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
n型半導体基板と、前記基板上に前記基板に接して形成されたアンドープの第1のダイヤモンド層と、前記第1のダイヤモンド層上に形成されドーパント濃度が1×1019cm-3以上である第2のダイヤモンド層と、を有することを特徴とするダイヤモンド電子素子。
IPC (3):
H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L33/00
FI (3):
H01L29/91 H ,  H01L29/16 ,  H01L33/00 A
F-Term (6):
5F041CA03 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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