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J-GLOBAL ID:200903031035467740

パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるネガ型現像若しくは多重現像用レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液、及び該パターン形成方法に用いられるネガ型現像用リンス液

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007197840
Publication number (International publication number):2008281975
Application date: Jul. 30, 2007
Publication date: Nov. 20, 2008
Summary:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液を提供する。【解決手段】(ア)特定繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるリンス液。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(ア)一般式(NGL-1)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、 (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6):
G03F 7/30 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/10
FI (8):
G03F7/30 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/32 501 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  C08F20/10
F-Term (55):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096AA28 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096CA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA11S ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38 ,  5F046LA12 ,  5F046LA14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (4)
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