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J-GLOBAL ID：200903034999299510

化学増幅型ネガ型レジスト組成物およびネガ型レジストパターンの形成方法

Inventor：
佐藤 充

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石川 清

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山崎 浩幸

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菅田 祥樹

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中山 寿昌

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Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

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Agent (1)： 服部 平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997289241
Publication number (International publication number)：1998186661
Application date： Oct. 07, 1997
Publication date： Jul. 14, 1998
Summary：
【要約】【課題】本発明は、高感度、高解像性で、耐熱性に優れている上にプロファイル形状の優れたレジストパターンを形成できる化学増幅型ネガ型レジスト組成物、およびネガ型レジストパターンの形成方法を提供すること。【構成】(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、および(C)酸の存在下で架橋化反応する化合物を含有する化学増幅型ネガ型レジスト組成物において、前記(A)成分が、(イ)少なくともヒドロキシスチレン構成単位を有し、重量平均分子量(MW)が2000〜4000、重量平均分子量と数平均分子量(MN)との比(MW/MN)が1.0〜2.0の範囲にある共重合体単独、または前記(イ)成分と(ロ)ヒドロキシスチレン単独重合体との混合物からなり、かつ前記(A)成分の23°Cにおける2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が50〜300nm/sの範囲にあることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物、およびそれを用いたネガ型レジストパターンの形成方法。
Claim (excerpt)：
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、および(C)酸の存在下で架橋化反応する化合物を含有する化学増幅型ネガ型レジスト組成物において、前記(A)成分が、(イ)少なくともヒドロキシスチレン構成単位を有し、重量平均分子量(MW)が2000〜4000、重量平均分子量と数平均分子量(MN)との比(MW/MN)が1.0〜2.0の範囲にある共重合体単独、または前記(イ)成分と(ロ)ヒドロキシスチレン単独重合体との混合物からなり、かつ前記(A)成分の23°Cにおける2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が50〜300nm/sの範囲にあることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物。
IPC (9)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/3477 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027
FI (10)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/3477 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 503 Z ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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