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J-GLOBAL ID：200903035267826122

光半導体装置

Inventor： 土志田 実 ,  長嶋 満宏 ,  木部 道也 ,  山下 裕泰 ,  西野 弘師 ,  松倉 祐輔 ,  内山 靖仁
Applicant, Patent owner： 防衛省技術研究本部長 ,  富士通株式会社
Agent (2)： 北野 好人 ,  三村 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008205293
Publication number (International publication number)：2009065143
Application date： Aug. 08, 2008
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】複数の波長の光に感度を有する光検知器として機能する光半導体装置において、構造が単純で製造工程が煩雑でなく、容易に小型化を実現することができる光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板24上に形成された下部電極層26と、下部電極層26上に形成された赤外線吸収層36と、赤外線吸収層36上に形成された上部電極層38とを有し、赤外線吸収層36は、方向によって寸法の異なる量子ドット30が積層されてなり、偏光方向に応じて赤外線に対する感度を有する波長が異なっている。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

方向によって寸法が異なる量子ドットを有し、入射光が入射され、前記入射光の偏光方向に応じて異なる波長の光を光電変換して電気信号を発生する活性部を有する ことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/026 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L31/08 L ,  H01L33/00 A

F-Term (19)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA21 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BA15 ,  5F088BA18 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB06 ,  5F088CB01 ,  5F088DA05 ,  5F088FA05 ,  5F088LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

• デュアルバンド量子井戸赤外線センシングアレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-516377   Applicant：カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
• 光学デバイス、光学装置、表示装置及び立体画像表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-240237   Applicant：株式会社リコー
• 面光源装置及びそれを備えた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-227118   Applicant：シャープ株式会社
• 光検出素子及び撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-135063   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法およびそれにより製造された半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-106395   Applicant：シャープ株式会社
• 量子ドット構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-536887   Applicant：エスティーシー.ユーエヌエム, インノリュームアキュジション,インク.
• 特開平3-265827
  
• 偏光制御レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-150455   Applicant：日本電信電話株式会社
• 量子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-012092   Applicant：ソニー株式会社
• 赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051221   Applicant：富士通株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-336787   Applicant：ソニー株式会社
• アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-186350   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• 赤外線検知器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-008314   Applicant：富士通株式会社
• 特表平6-505363
  

Cited by examiner (12)

• 面光源装置及びそれを備えた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-227118   Applicant：シャープ株式会社
• 光検出素子及び撮像素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-135063   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法およびそれにより製造された半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-106395   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平3-265827
  
• 量子ドット構造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-536887   Applicant：エスティーシー.ユーエヌエム, インノリュームアキュジション,インク.
• 偏光制御レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-150455   Applicant：日本電信電話株式会社
• 量子素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-012092   Applicant：ソニー株式会社
• 赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-051221   Applicant：富士通株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-336787   Applicant：ソニー株式会社
• アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-186350   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• 赤外線検知器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-008314   Applicant：富士通株式会社
• 特表平6-505363
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• MBE,MOVPE成長法によるInAs/GaAs量子ドットの形状異方性と偏光特性
• Improved optical properties of InAs quantum dots grown with an As2 source using molecular beam epita

Cited by examiner (2)

• MBE,MOVPE成長法によるInAs/GaAs量子ドットの形状異方性と偏光特性
• Improved optical properties of InAs quantum dots grown with an As2 source using molecular beam epita