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J-GLOBAL ID：200903035628754369

MIS型電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 太田 裕朗 ,  高須 秀視 ,  大嶽 浩隆
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007056430
Publication number (International publication number)：2008078604
Application date： Mar. 06, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】パワーデバイスへの適用に適したIII-V族窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】この電界効果トランジスタは、サファイア基板1上に窒化物半導体積層構造部2を配置して構成されている。窒化物半導体積層構造部2は、N型GaN層5、このN型GaN層5に積層されたP型GaN層6、およびこのP型GaN層6に積層されたN型GaN層7を有している。窒化物化合物半導体積層構造部2には、断面V字形のトレンチ16が形成されており、このトレンチ16の側壁は、N型GaN層5、P型GaN層6およびN型GaN層7に跨る壁面17を形成している。この壁面17にゲート絶縁膜が形成され、さらに、このゲート絶縁膜19を挟んで壁面17に対向するようにゲート電極20が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1III-V族窒化物半導体層、この第1III-V族窒化物半導体層に積層された第2導電型の第2III-V族窒化物半導体層、およびこの第2III-V族窒化物半導体層に積層された前記第1導電型の第3III-V族窒化物半導体層を含む窒化物半導体積層構造部と、 前記第1、第2および第3III-V族窒化物半導体層に跨って形成された壁面に、これら第1、第2および第3III-V族窒化物半導体層に跨るように形成されたゲート絶縁膜と、 このゲート絶縁膜を挟んで前記第2III-V族窒化物半導体層に対向するように形成された導電性材料からなるゲート電極と、 前記第1III-V族窒化物半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、 前記第3III-V族窒化物半導体層に電気的に接続されたソース電極と、を含む、MIS型電界効果トランジスタ。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (11)：

H01L29/78 618B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 626A

F-Term (38)：

5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA03 ,  5F048BA04 ,  5F048BA05 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048CB07 ,  5F110AA30 ,  5F110CC09 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF31 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HM07 ,  5F110HM12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-003368   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 特開2000-912523号公報
  

Cited by examiner (12)

• トレンチ構造を有するIII族窒化物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-353377   Applicant：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-361183   Applicant：古河電気工業株式会社
• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-003368   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-006013   Applicant：古河電気工業株式会社
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-175050   Applicant：株式会社デンソー
• 特開平4-093038
  
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-329267   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-027477   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-362426   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化物含有半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-207409   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-057688   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-136498   Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Characterization of Planar Semipolar Gallium Nitride Films on Sapphire Substrates