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J-GLOBAL ID：200903035782151383

AlN系III族窒化物結晶の作製方法およびAlN系III族窒化物厚膜

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006159535
Publication number (International publication number)：2007266559
Application date： Jun. 08, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】比較的簡便な手法によって低転位のAlN系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。【解決手段】所定の基材上にMOCVD法によってAlN系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、HVPE法によってAlN系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、MOCVD法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、HVPE法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、HVPE法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のAlN系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
所定の基材の上に第1のAlN系III族窒化物からなる下地層を形成することにより成長用基板を得る第1形成工程と、 前記成長用基板の上に10μm以上の膜厚の第2のAlN系III族窒化物からなる結晶層を形成する第2形成工程と、 を含むAlN系III族窒化物結晶の作製方法であって、 前記第1形成工程における前記下地層の形成温度よりも高い温度であってかつ1500°C以上の温度を加熱温度として前記成長用基板を加熱する加熱工程、 をさらに備え、 前記加熱工程を経た成長用基板を用いて前記第2形成工程を行う、 ことを特徴とするAlN系III族窒化物結晶の作製方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  C23C 16/34
FI (3)：
H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C23C16/34
F-Term (52)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030DA01 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN16 ,  5F152LN17 ,  5F152LN22 ,  5F152MM18 ,  5F152NN01 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NP23 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (10)
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