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J-GLOBAL ID：200903086646663773

半導体発光素子

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
田中 光浩

About 田中 光浩

, 
若原 昭浩

About 若原 昭浩

, 
吉田 明

About 吉田 明


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (2)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003076818
Publication number (International publication number)：2004288757
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】半導体発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】半導体発光素子10は、基板1、基板1上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層2、および下地層2上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層5を備えている。第一の窒化物半導体においてIII属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転移密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200sec以下である。第二の窒化物半導体が、希土類元素および遷移金属元素からなる群より選ばれた一種以上の元素を添加元素として含んでいる。発光層が1300°C以上の温度で熱処理されている。第二の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が20原子%以上である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板、前記基板上にエピタキシャル成長した第一の窒化物半導体からなる下地層、およびこの下地層上に設けられた第二の窒化物半導体からなる発光層を備えている半導体発光素子であって、 前記第一の窒化物半導体においてIII属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転移密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が200秒以下であり、前記第二の窒化物半導体が、希土類元素および遷移金属元素からなる群より選ばれた一種以上の元素を添加元素として含んでおり、前記発光層が1300°C以上の温度で熱処理されており、前記第二の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が20原子%以上であることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
FI (3)：
H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
F-Term (31)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA59 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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