Pat
J-GLOBAL ID：200903039749106068

窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子

Inventor：
琵琶 剛志

About 琵琶 剛志

, 
奥山 浩之

About 奥山 浩之

, 
土居 正人

About 土居 正人

, 
大畑 豊治

About 大畑 豊治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001121689
Publication number (International publication number)：2002319702
Application date： Apr. 19, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 活性層とその後に積層する窒化物半導体層の成長温度に起因する活性層の劣化等の問題を解決し、発光特性などの素子特性の優れた窒化物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 基体上に活性層を第1の成長温度(T3)で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度(T4)を第1の成長温度(T3)から250°C高い温度以下とする。活性層中での例えばIn-Nのボンドが切断されることによる窒素空孔の発生やIn金属化などの問題が未然に防止され該活性層の結晶性を良好に保つことできる。
Claim (excerpt)：
基体上に活性層を第1の成長温度で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度を前記第1の成長温度から250°C高い温度以下とすることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (6)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/343 610
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610 ,  H01L 29/80 H
F-Term (29)：
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM