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J-GLOBAL ID：200903040450283328

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor：
沢田 隆夫

About 沢田 隆夫

, 
樽井 陽一郎

About 樽井 陽一郎


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007078634
Publication number (International publication number)：2008243900
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：
【課題】本発明は、コンタクト層形成後の高温の熱処理後であってもオーミックコンタクトを有し、かつCNTを形成するための触媒として十分に機能する薄膜の形成条件と、触媒層の表面積を広くすることによってCNTの本数を増加させる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による炭化珪素半導体装置およびその製造方法は、炭化珪素半導体装置の製造方法であって、(a)SiC1表面に不純物を導入する工程と、(b)不純物の導入後にSiC1表面をアニールすることによってSiC1の表面に凹凸部4を形成する工程と、(c)SiC1の凹凸部4の表面を下地として用いて、その上方にCNT7を形成する工程とを備え、コンタクト電極層5の表面積を広くすることによってCNT7の本数を増加させることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 (a)炭化珪素半導体表面に不純物を導入する工程と、 (b)前記不純物の導入後に前記炭化珪素半導体表面をアニールすることによって前記炭化珪素半導体の表面に凹凸を形成する工程と、 (c)前記炭化珪素半導体の凹凸の表面を下地として用いて、その上方にカーボンナノチューブを形成する工程と、 を備えることを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (7)：
H01L21/28 301Z ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652M ,  H01L21/88 M
F-Term (32)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD24 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F033GG01 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ16 ,  5F033KK01 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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