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J-GLOBAL ID：200903041114149008

アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び液晶パネルの製造方法並びにアクティブマトリクス基板の欠陥修正装置

Inventor：
土肥 徹也

About 土肥 徹也


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999033500
Publication number (International publication number)：2000231121
Application date： Feb. 10, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板の完成後、対向基板との貼り合わせ前に欠陥修正を確実に行う。【解決手段】 走査配線、信号配線及びスイッチング素子を覆う層間絶縁膜6上に画素電極1を有するアクティブマトリクス基板に対して、層間絶縁膜6に任意波長のレーザ光を照射して層間絶縁膜6を部分的に除去した後で、欠陥部8または層間絶縁膜6の除去部の下層にある配線部に任意波長のレーザ光を照射して欠陥部8を除去するかまたは配線部を切断する。
Claim (excerpt)：
複数の走査配線及び複数の信号配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設けられ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように設けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアクティブマトリクス基板の短絡欠陥を修正する方法であって、該層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を照射して修正部上の層間絶縁膜部分を除去する工程と、欠陥部または該層間絶縁膜の除去部の下層にある配線部に任意波長のレーザ光を照射して該欠陥部を除去するかまたは該配線部を切断する工程とを含むアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
IPC (3)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 29/786
FI (3)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 29/78 612 A
F-Term (21)：
2H088FA14 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  2H092GA35 ,  2H092GA43 ,  2H092GA48 ,  2H092MA30 ,  2H092NA07 ,  2H092NA12 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA29 ,  2H092NA30 ,  2H092PA01 ,  5F110AA24 ,  5F110AA27 ,  5F110BB01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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