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J-GLOBAL ID：200903044718278247

プラズマ処理装置

Inventor：
渡邉 祐樹

About 渡邉 祐樹

, 
原田 隆宏

About 原田 隆宏

, 
小駒 益弘

About 小駒 益弘


Applicant, Patent owner：
小駒 益弘

About 小駒 益弘


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002159910
Publication number (International publication number)：2004006511
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】放電空間内に均一かつ高安定なプラズマを発生させ、処理基材の均一な処理を行え、かつ簡素で安価な装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも反応容器内に電極と対向電極を備え、反応容器内に反応ガス及び/又は希釈ガスを供給するためのガス供給手段、反応ガス及び/又は希釈ガスを排出するためのガス排出手段を有し、該電極に電源から電圧を印加することにより電極と対向電極間にプラズマを発生させ、電極と対向電極間に位置する処理基材をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記電極と対向電極間のプラズマ反応領域にガスの対流を作るガス対流手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置を提供するものである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
少なくとも反応容器内に電極と対向電極を備え、反応容器内に反応ガス及び/又は希釈ガスを供給するためのガス供給手段、反応ガス及び/又は希釈ガスを排出するためのガス排出手段を有し、該電極に電源から電圧を印加することにより電極と対向電極間にプラズマを発生させ、電極と対向電極間に位置する処理基材をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、前記電極と対向電極間のプラズマ反応領域にガスの対流を作るガス対流手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2)：
H01L21/31 ,  C23C16/455
FI (2)：
H01L21/31 C ,  C23C16/455
F-Term (30)：
4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030CA07 ,  4K030DA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA08 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045DP03 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EE01 ,  5F045EG08 ,  5F045EG09 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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