シリコン基板及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松下亮
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006098638
Publication number (International publication number)：2007273814
Application date： Mar. 31, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】窒化物化合物半導体素子を形成するためにエピタキシャル成長される窒化物系化合物半導体の湾曲を抑制するシリコン基板を提供すること。【解決手段】シリコン基板1において、窒化物系化合物半導体層2の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面1aには、窒化物系化合物半導体層2の成長後にその反りを減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体層の成長によって凹状に反る方向に応力が加わる主面には、前記窒化物系化合物半導体層の成長後に前記応力を減少させる反り量を有する凸状の湾曲が予め付与されていることを特徴とするシリコン基板。

IPC (7)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , C30B 29/06

FI (5)：

H01L21/20 , H01L21/265 W , H01L29/80 H , H01L21/205 , C30B29/06 B

F-Term (37)：

4G077AA02 , 4G077AB03 , 4G077BA04 , 4G077EB01 , 4G077FB06 , 4G077FD02 , 4G077FE20 , 4G077FG12 , 4G077GA10 , 4G077HA12 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AF11 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102HC01 , 5F102HC10 , 5F102HC11 , 5F102HC21 , 5F152LN05 , 5F152LN14 , 5F152MM05 , 5F152NN03 , 5F152NP09 , 5F152NP13 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-297023号公報
半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-127202 Applicant：日立電線株式会社
窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-187368 Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (14)

半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-017875 Applicant：東芝セラミックス株式会社
2つの結晶化半導体材料を整合させる方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-106620 Applicant：トムソン-セーエスエフ
半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-042707 Applicant：新日本製鐵株式会社

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