ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004057449
Publication number (International publication number)：2005206775
Application date： Mar. 02, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】解像性、ラインエッジラフネス特性が良好なホトレジスト組成物用樹脂、およびこれを用いたホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】ポリマー末端に炭素原子に結合した水酸基を有し、当該水酸基のα位の炭素原子が、少なくともひとつの電子吸引性基を有することを特徴とするホトレジスト組成物用樹脂。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ポリマー末端に炭素原子に結合した水酸基を有し、当該水酸基のα位の炭素原子が、少なくともひとつの電子吸引性基を有することを特徴とするホトレジスト組成物用樹脂。

IPC (5)：

C08F220/28 , C08F2/38 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (5)：

C08F220/28 , C08F2/38 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (29)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J011NA25 , 4J011NB05 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03R , 4J100BA11P , 4J100BA20P , 4J100BC08P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA27 , 4J100DA01 , 4J100DA36 , 4J100FA04 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特許2881969号公報
レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-156818 Applicant：富士通株式会社
放射線感光材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-276597 Applicant：富士通株式会社

Show all

Cited by examiner (1)

新規チオール化合物、共重合体及び共重合体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-013879 Applicant：丸善石油化学株式会社

Return to Previous Page