Pat
J-GLOBAL ID:200903048284759239
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006212280
Publication number (International publication number):2007063549
Application date: Aug. 03, 2006
Publication date: Mar. 15, 2007
Summary:
【課題】半導体装置を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与える信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填剤、(D)硬化促進剤、(E)接着向上剤、(F)金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、(F)金属酸化物として、(a)マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、(b)ハイドロタルサイト系イオン交換体及び(c)希土類酸化物の組合せ比率が、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の合計量100質量部に対して、(a):(b):(c)=0.5〜20質量部:0.5〜20質量部:0.01〜10質量部であるエポキシ樹脂組成物、及び半導体素子をこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填剤、(D)硬化促進剤、(E)接着向上剤、(F)金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、(F)金属酸化物として、(a)マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、(b)ハイドロタルサイト系イオン交換体及び(c)希土類酸化物の組合せ比率が、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の合計量100質量部に対して、(a):(b):(c)=0.5〜20質量部:0.5〜20質量部:0.01〜10質量部であるエポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08G 59/40
, C08L 63/00
, C08K 3/00
, C08K 5/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5):
C08G59/40
, C08L63/00 C
, C08K3/00
, C08K5/00
, H01L23/30 R
F-Term (65):
4J002CC04X
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CM043
, 4J002CN063
, 4J002DE099
, 4J002DE136
, 4J002DE146
, 4J002DE259
, 4J002DE269
, 4J002DE289
, 4J002DF016
, 4J002DJ016
, 4J002DK006
, 4J002DL006
, 4J002EU117
, 4J002EU137
, 4J002EW017
, 4J002EX038
, 4J002EX088
, 4J002EY007
, 4J002FA046
, 4J002FA086
, 4J002FB096
, 4J002FB166
, 4J002FD016
, 4J002FD130
, 4J002FD14X
, 4J002FD147
, 4J002FD160
, 4J002FD343
, 4J002FD348
, 4J002GJ02
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AD01
, 4J036AD08
, 4J036AF01
, 4J036AF06
, 4J036DC41
, 4J036DC46
, 4J036DD07
, 4J036DD09
, 4J036FA01
, 4J036FA03
, 4J036FA05
, 4J036FA12
, 4J036FA13
, 4J036FB07
, 4J036FB14
, 4J036FB15
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB12
, 4M109EB18
, 4M109EC01
, 4M109EC02
, 4M109EC03
, 4M109EC07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (17)
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特許第2501820号公報
-
ウラン(U)含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-333357
Applicant:協和化学工業株式会社
-
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-035531
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-167683
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
特許第2519277号公報
-
特許第2712898号公報
-
特許第3167853号公報
-
特公平06-051826号公報
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-241933
Applicant:日東電工株式会社
-
エポキシ樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-318963
Applicant:住友ベークライト株式会社
-
半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-333290
Applicant:日東電工株式会社
-
封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-119726
Applicant:日立化成工業株式会社
-
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-108291
Applicant:信越化学工業株式会社
-
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-105155
Applicant:信越化学工業株式会社
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半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-200137
Applicant:信越化学工業株式会社
-
半導体封止用エポキシ組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-177038
Applicant:東レ株式会社
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特開平4-048759
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Cited by examiner (7)
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