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J-GLOBAL ID:200903048284759239

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006212280
Publication number (International publication number):2007063549
Application date: Aug. 03, 2006
Publication date: Mar. 15, 2007
Summary:
【課題】半導体装置を封止した際に、銅配線の腐食、マイグレーションやアルミニウムと金の接合部における金属間化合物の生成を抑制した硬化物を与える信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された半導体装置を提供する。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填剤、(D)硬化促進剤、(E)接着向上剤、(F)金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、(F)金属酸化物として、(a)マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、(b)ハイドロタルサイト系イオン交換体及び(c)希土類酸化物の組合せ比率が、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の合計量100質量部に対して、(a):(b):(c)=0.5〜20質量部:0.5〜20質量部:0.01〜10質量部であるエポキシ樹脂組成物、及び半導体素子をこのエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂硬化剤、(C)無機質充填剤、(D)硬化促進剤、(E)接着向上剤、(F)金属酸化物を含むエポキシ樹脂組成物において、(F)金属酸化物として、(a)マグネシウム・アルミニウム系イオン交換体、(b)ハイドロタルサイト系イオン交換体及び(c)希土類酸化物の組合せ比率が、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤の合計量100質量部に対して、(a):(b):(c)=0.5〜20質量部:0.5〜20質量部:0.01〜10質量部であるエポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08G 59/40 ,  C08L 63/00 ,  C08K 3/00 ,  C08K 5/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5):
C08G59/40 ,  C08L63/00 C ,  C08K3/00 ,  C08K5/00 ,  H01L23/30 R
F-Term (65):
4J002CC04X ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CM043 ,  4J002CN063 ,  4J002DE099 ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002DE259 ,  4J002DE269 ,  4J002DE289 ,  4J002DF016 ,  4J002DJ016 ,  4J002DK006 ,  4J002DL006 ,  4J002EU117 ,  4J002EU137 ,  4J002EW017 ,  4J002EX038 ,  4J002EX088 ,  4J002EY007 ,  4J002FA046 ,  4J002FA086 ,  4J002FB096 ,  4J002FB166 ,  4J002FD016 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD147 ,  4J002FD160 ,  4J002FD343 ,  4J002FD348 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J036AA01 ,  4J036AD01 ,  4J036AD08 ,  4J036AF01 ,  4J036AF06 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036DD09 ,  4J036FA01 ,  4J036FA03 ,  4J036FA05 ,  4J036FA12 ,  4J036FA13 ,  4J036FB07 ,  4J036FB14 ,  4J036FB15 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB12 ,  4M109EB18 ,  4M109EC01 ,  4M109EC02 ,  4M109EC03 ,  4M109EC07
Patent cited by the Patent:
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