窒化物半導体基板及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001004119
Publication number (International publication number)：2002208757
Application date： Jan. 11, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板の反りを抑制することにより結晶性が良好である窒化物半導体基板を容易に製造できるようにする。【解決手段】基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、横方向成長を利用し欠陥の集中する接合部を基板全体に分散させる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料から成る異種基板、又は窒化物半導体から成る同種基板上に選択成長させるようにした窒化物半導体基板において、基板と、前記基板上に円形又は多角形に抜き取られた凹部を有する第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層を核として横方向及び上方向に選択成長させる第2の窒化物半導体層とから成ることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (3)：

H01S 5/343 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (3)：

H01S 5/343 , C23C 16/34 , H01L 21/205

F-Term (33)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA01 , 4K030DA01 , 4K030FA10 , 4K030LA11 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045BB12 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045HA02 , 5F045HA12 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA52 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体構造とその製法および発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-216110 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社
半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133844 Applicant：松下電子工業株式会社

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