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J-GLOBAL ID：200903051080559754

キャリア誘起強磁性体を用いた強磁性共鳴周波数の制御方法及びそれを用いた周波数フィルタ素子

Inventor：
大岩 顕

About 大岩 顕

, 
宗片 比呂夫

About 宗片 比呂夫

, 
黒澤 良太

About 黒澤 良太


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (4)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  今村 健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004100417
Publication number (International publication number)：2005286867
Application date： Mar. 30, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：
【課題】 共鳴周波数を外部からの制御により変調可能な周波数フィルタを提供する。【解決手段】 n+-GaAsからなる導電性基板1上にi-AlGaAsからなる絶縁層3を積層し、次いで、強磁性半導体(GaAsに磁性金属であるMnをドーピングした半導体)Ga1-xMnxAs層の薄膜5をその上に積層した多層構造を有している。GaMnAsに特有な磁気異方性を利用して特定の方向へ磁化Mを向ける。GaMnAs層5に対して絶縁膜7を形成する。絶縁膜7上に、電界印加用の金属電極11を形成する。素子に対してマイクロ波を照射する。電場ベクトルが磁化と平行(磁場は直行)の場合は磁化と結合し、電場ベクトルが磁化と直交する場合は磁化と結合しない。外部磁場・磁化・異方性定数で決まる共鳴周波数ωがキャリア濃度を制御する制御手段により調整できる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
キャリア誘起型強磁性体と、 該キャリア誘起型強磁性体のキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段と を有する素子。
IPC (4)：
H01P7/00 ,  H01F10/193 ,  H01F41/18 ,  H01P1/217
FI (4)：
H01P7/00 B ,  H01F10/193 ,  H01F41/18 ,  H01P1/217
F-Term (7)：
5E049AB10 ,  5E049BA29 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01 ,  5J006HD03 ,  5J006MA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 高周波フィルター
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-048447   Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (11)
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