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J-GLOBAL ID:200903052990384679

ポジ型レジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994331721
Publication number (International publication number):1996160621
Application date: Dec. 09, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】下記一般式(1)(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料に、更に窒素含有化合物を添加したことを特徴とするポジ型レジスト材料。【効果】高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れ、酸素プラズマエッチング耐性にも優れているため、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るポジ型レジスト材料を提供する。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)【化1】(式中、Qはt-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、トリメチルシリル基又はテトラヒドロピラニル基を示す。nは1〜3の整数、x,mはx+m=1であるが、xは0になることはない。)で示されるシリコーンポリマーと、照射される放射線の作用により分解して酸を発生する酸発生剤との2成分を含むアルカリ水溶液で現像可能なポジ型レジスト材料に、更に窒素含有化合物を添加したことを特徴とするポジ型レジスト材料。
IPC (6):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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