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J-GLOBAL ID：200903054320659726

低屈折率SiO2 膜及びその製造方法

Inventor：
市村 公二

About 市村 公二


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 光来出 良彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997315992
Publication number (International publication number)：1998230561
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 SiO2 膜とするための原料を用い、しかもその屈折率を従来のSiO2 膜の屈折率よりも低い屈折率のSiO2 膜を提供する。【解決手段】 F原子を含むガス、Si原子及び炭素原子が1〜4個のアルキル基またはアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されているものを含むガス、及びO原子を含むガスを原料ガスとし、真空チャンバー1内でプラズマCVD法によりプラズマゾーン5にてウエッブ2上にSiO2 膜を形成する。得られたSiO2 膜はF原子、炭素原子が1〜4個のアルキル基、及び炭素原子が1〜4個のアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されたものから選ばれた1種以上の低屈折率要素が導入されており、該低屈折率要素が導入されていないSiO2 膜に比べて屈折率が低い。
Claim (excerpt)：
F原子、炭素原子が1〜4個のアルキル基、及び炭素原子が1〜4個のアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されたものから選ばれた1種以上の低屈折率要素が導入された低屈折率SiO2 膜。
IPC (5)：
B32B 9/00 ,  B32B 7/02 103 ,  C03C 17/245 ,  C23C 16/42 ,  G02B 1/11
FI (5)：
B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 103 ,  C03C 17/245 Z ,  C23C 16/42 ,  G02B 1/10 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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