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J-GLOBAL ID：200903062281352009

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： 中尾 元 ,  佐藤 健一郎 ,  上西 一也
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999327091
Publication number (International publication number)：2001142215
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄膜プロセスにおいても十分な面内均一性が保持され、所望のレジストパターンを高感度、高解像力で再現し得るレジスト組成物を提供すること。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び溶剤を含有し、25°Cでの粘度が2〜7センチポアズであるポジ型フォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)溶剤、を含有し、25°Cでの粘度が2〜7センチポアズであることを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

IPC (15)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/06 ,  C08F220/16 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  C08F222/06 ,  C08F222/12 ,  C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 35/02 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/027

FI (15)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/06 ,  C08F220/16 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  C08F222/06 ,  C08F222/12 ,  C08F222/40 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 35/02 ,  C08L 45/00 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (112)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BJ00 ,  2H025BJ06 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  4J002BG031 ,  4J002BG071 ,  4J002BH001 ,  4J002BH021 ,  4J002EA037 ,  4J002EB006 ,  4J002EB027 ,  4J002ED027 ,  4J002EE037 ,  4J002EH037 ,  4J002EH157 ,  4J002EL067 ,  4J002EP017 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU027 ,  4J002EU186 ,  4J002EU226 ,  4J002EV207 ,  4J002EV236 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07R ,  4J100AJ02R ,  4J100AK32P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL36P ,  4J100AL39P ,  4J100AL41P ,  4J100AM21R ,  4J100AM39P ,  4J100AM43P ,  4J100AM45P ,  4J100AM47P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA12Q ,  4J100BA12R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA28R ,  4J100BA34P ,  4J100BA34Q ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA40P ,  4J100BA40Q ,  4J100BA51Q ,  4J100BA56P ,  4J100BA56R ,  4J100BA58P ,  4J100BA58Q ,  4J100BA58R ,  4J100BB01R ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC23R ,  4J100BC26R ,  4J100BC43R ,  4J100BC48R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

• レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-020847   Applicant：株式会社日立製作所
• レジスト材料及び使用法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平3-507745   Applicant：イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー, アメリカン・テレフオン・アンド・テレグラフ・カンパニー
• レジスト溶液およびその調製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-034900   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-235247   Applicant：富士通株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-270685   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-060057   Applicant：住友化学工業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-315265   Applicant：住友化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-291291   Applicant：ジェイエスアール株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-120919   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 回折格子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-170836   Applicant：大日本印刷株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-060278   Applicant：東亞合成株式会社