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J-GLOBAL ID：200903062299309259

中性子発生装置及びターゲット、並びに中性子照射システム

Inventor：
馬場 譲

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中村 尚司

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米内 俊祐

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田原 義壽

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小田 泰嗣

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横堀 仁

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Applicant, Patent owner：
三菱重工業株式会社

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Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004228638
Publication number (International publication number)：2006047115
Application date： Aug. 04, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：
【課題】BNCTに適した中性子を効率的に発生させること。【解決手段】この中性子発生装置100は、20MeV以上のエネルギーを持つ陽子が照射されて中性子を発生するターゲット1と、前記陽子の照射によって前記ターゲット1から発生した中性子を減速する中性子減速部3と、鉛で構成され、前記ターゲットから発生した前記中性子を反射させるとともに増倍させて前記中性子減速部3へ導く反射体5と、を含んで構成される。陽子は、例えばサイクロトロン等の加速器により、ターゲット1へ照射される。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
高エネルギーの陽子が照射されて中性子を発生するターゲットと、 前記陽子の照射によって前記ターゲットから発生した中性子を減速する中性子減速部と、 (n、xn)反応を生ずる物質で構成され、前記ターゲットから発生した前記中性子を反射させるとともに増倍させて前記中性子減速部へ導く反射体と、 を含んで構成されることを特徴とする中性子発生装置。
IPC (6)：
G21K 5/02 ,  A61N 5/10 ,  G21K 1/00 ,  G21K 5/08 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00
FI (6)：
G21K5/02 N ,  A61N5/10 H ,  G21K1/00 N ,  G21K5/08 N ,  H05H3/06 ,  H05H6/00
F-Term (10)：
2G085AA11 ,  2G085BA17 ,  2G085BE02 ,  2G085BE10 ,  2G085DA03 ,  2G085DA10 ,  2G085EA07 ,  4C082AC07 ,  4C082AE01 ,  4C082AG02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (14)
  • 中性子発生施設およびその保守点検方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173961   Applicant：三菱重工業株式会社, 新型炉技術開発株式会社, 日本原子力研究所
  • 中性子源固体ターゲット
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-038947   Applicant：株式会社日立製作所
  • 特公昭42-005315
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