フォトレジスト組成物

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：千田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000308695
Publication number (International publication number)：2001272783
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】特に200nm以下の波長、特に193nmに対して良好な透明性を示すとともに、プラズマエッチャントに対して良好な耐性を示す新規なレジストの提供。【解決手段】1)エステル基がポリマーの全単位の約30から60モル%の量で存在する、脂環式基を有するフォト酸レイビルエステル基、および2)ポリマーの全単位の約20から50モル%の量で存在するニトリル基の繰り返し単位を有するポリマーを含む樹脂バインダー、ならびに光活性成分を含むフォトレジスト組成物であって、該ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含有しないフォトレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

1)エステル基がポリマーの全単位の約30から60モル%の量で存在する、脂環式基を有するフォト酸レイビルエステル基、および2)ポリマーの全単位の約20から50モル%の量で存在するニトリル基の繰り返し単位を有するポリマーを含む樹脂バインダー、ならびに光活性成分を含むフォトレジスト組成物であって、該ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含有しないフォトレジスト組成物。

IPC (7)：

G03F 7/039 601 , C07C 69/54 , C08K 5/00 , C08L 33/08 , C08L 33/10 , C08L 33/20 , C08L101/08

FI (7)：

G03F 7/039 601 , C07C 69/54 B , C08K 5/00 , C08L 33/08 , C08L 33/10 , C08L 33/20 , C08L101/08

F-Term (27)：

2H025AA00 , 2H025AA09 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AB76 , 4H006BJ20 , 4H006BJ30 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006KA14 , 4H006KE20 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002BG111 , 4J002EV246 , 4J002EV256 , 4J002FD206 , 4J002GP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050264 Applicant：富士通株式会社
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-112698 Applicant：富士通株式会社
ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-046000 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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