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J-GLOBAL ID：200903066353934720

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
田中 幸一郎

About 田中 幸一郎


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000033838
Publication number (International publication number)：2000299470
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体薄膜に対するレーザー光の照射による結晶化工程において、レーザー光を選択的に照射する。例えば、アクティブマトリクス型の表示装置の作製方法において、ドライバー領域103のみに対してレーザー光を照射する。こうして、結晶質半導体膜からなるドライバー領域103と非晶質半導体膜からなる画素領域102を備えた信頼性の高い表示装置(液晶表示装置、EL表示装置等)を得ることができる。
Claim (excerpt)：
同一基板上に形成されたドライバー回路と画素部とを有する半導体装置において、前記ドライバー回路に含まれる少なくとも一つのTFTのチャネル形成領域は、結晶質半導体膜でなり、前記画素部に含まれるTFTのチャネル形成領域は、非晶質半導体膜でなることを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336
FI (7)：
H01L 29/78 612 B ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (13)
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Cited by examiner (17)
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