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J-GLOBAL ID：200903073194608511

窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor：
山本 健作

About 山本 健作

, 
幡 俊雄

About 幡 俊雄


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000156223
Publication number (International publication number)：2001339101
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、発光強度と光取出し効率の改善、および低い動作電圧の実現を可能ならしめる。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板101上において順に積層されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x<1;0<y≦1;0<x+y≦1)活性層104、p型半導体層105,106、および金属Pd薄膜電極層107を少なくとも含み、その活性層104とPd薄膜107との間隔が10nm以上で400nm以下であることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板上において順に積層されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>1-x-y</SB>N(0≦x<1;0<y≦1;0<x+y≦1)活性層、p型半導体層、および金属Pd薄膜を少なくとも含み、前記活性層と前記Pd薄膜との間隔が10nm以上で400nm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/323
F-Term (19)：
5F041AA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F073AA55 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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