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J-GLOBAL ID:200903071879602823
半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
筒井 大和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005031590
Publication number (International publication number):2006222119
Application date: Feb. 08, 2005
Publication date: Aug. 24, 2006
Summary:
【課題】 紫外線硬化型粘着材のウェハ裏面への引きずりを防止して、歩留まり向上を図ることができる技術を提供する。【解決手段】 ウェハ1の素子形成面に表面保護シート11を貼り付ける。そして、表面保護シート11をウェハ単位で切断する。このとき、ウェハの外側にはみ出す切り残し14が発生する。続いて、ウェハ1の素子形成面とは反対側の面から紫外線照射ランプ15aによって紫外線を照射する。すると、ウェハ1がマスクとなり、切り残し14に形成されている紫外線硬化型粘着材11bだけが硬化する。【選択図】 図8
Claim (excerpt):
(a)紫外線を照射することにより硬化する粘着材を含む表面保護シートを、半導体ウェハの素子形成面に貼り付ける工程と、
(b)前記表面保護シートを前記半導体ウェハ単位で切断する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面から、紫外線を照射する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記半導体ウェハの素子形成面とは反対側の面を研削する工程とを備える半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/304
, H01L 21/683
FI (3):
H01L21/304 631
, H01L21/304 622J
, H01L21/68 N
F-Term (8):
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031MA22
, 5F031MA33
, 5F031MA34
, 5F031MA37
, 5F031MA39
, 5F031PA30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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半導体ウエハの加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-282521
Applicant:日東電工株式会社
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ダイシングシート貼付方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-304058
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体ウエハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-244883
Applicant:日東電工株式会社
-
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-228547
Applicant:富士通株式会社
-
ウエハマウンタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-201026
Applicant:東洋化学株式会社
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表面実装型コモンモードノイズフィルタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-311211
Applicant:TDK株式会社
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Cited by examiner (5)
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被加工物の加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-099532
Applicant:株式会社ディスコ
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半導体ウエーハの研削方法及び研削方法に用いる紫外線照射装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-138645
Applicant:株式会社ディスコ
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半導体チップの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-088036
Applicant:関西ペイント株式会社, 株式会社ディスコ
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