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J-GLOBAL ID：200903074522522375

(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板、この基板を用いて形成されてなる(111)配向PZT系誘電体膜

Inventor：
小林 健

About 小林 健

, 
一木 正聡

About 一木 正聡

, 
前田 龍太郎

About 前田 龍太郎


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005009755
Publication number (International publication number)：2006199507
Application date： Jan. 18, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
【課題】シリコン基板上に(111)配向性PZT系誘電体膜を、組成ずれが起こらず、高純度でしかも必要最小限の熱付与により形成することができる、(111)配向性PZT系誘電体膜形成用基板、かかる基板を利用することにより得られる高純度(111)配向性PZT系誘電体膜およびかかる基板を利用する高純度(111)配向性PZT系誘電体膜の製造方法を提供する【解決手段】シリコン基体上に順次、チタン膜と白金膜を設けた基板材料を加熱処理することにより得られ、該白金膜上に酸化チタンを含む配向制御層が形成された(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板。この基板を利用することにより得られる(111)配向PZT系誘電体膜。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
シリコン基体上に順次、チタン膜と白金膜を設けた基板材料を加熱処理することにより得られ、該白金膜上に酸化チタンを含む配向制御層が形成されていることを特徴とする(111)配向PZT系誘電体膜形成用基板。
IPC (8)：
C04B 35/49 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (6)：
C04B35/49 B ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L27/04 C
F-Term (26)：
4G031AA09 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA19 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (9)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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