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J-GLOBAL ID：200903082033073994

非晶質炭素、非晶質炭素被膜部材および非晶質炭素膜の成膜方法

Inventor： 中西 和之 ,  大島 正 ,  長谷川 英雄 ,  森 広行 ,  伊関 崇 ,  太刀川 英男 ,  松井 宗久
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004340860
Publication number (International publication number)：2005187318
Application date： Nov. 25, 2004
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：

【課題】 低弾性率を有する軟質な非晶質炭素、その非晶質炭素からなる被膜を持つ非晶質炭素被膜部材、および非晶質炭素膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明の非晶質炭素は、炭素を主成分とし、水素を30at%を超え60at%以下含み、弾性率が40〜150GPaである。また、非晶質炭素被膜部材は、導電性の基材22と、基材22の表面の少なくとも一部に固定した本発明の非晶質炭素からなる被膜と、からなる。また、本発明の非晶質炭素膜の成膜方法は、プラズマCVD法によって導電性の基材22の表面に非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の成膜方法であって、成膜炉11内に配置されかつマイナス極に結線された基材保持具21に基材22が互いに対向する状態で複数の基材22を配置すると共に、隣接する2個の基材22の負グロー24が互いに重なるように、処理ガス圧力およびプラズマ電源を操作する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

炭素を主成分とし、水素を30at%を超え60at%以下含み、かつ、弾性率が40〜150GPaであることを特徴とする非晶質炭素。

IPC (3)：

C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/205

FI (3)：

C01B31/02 101Z ,  C23C16/26 ,  H01L21/205

F-Term (45)：

4G146AA05 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC11A ,  4G146AC11B ,  4G146AC16B ,  4G146AC23A ,  4G146AC23B ,  4G146AC27A ,  4G146AC27B ,  4G146AD01 ,  4G146AD26 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4G146BC46 ,  4G146DA02 ,  4G146DA16 ,  4G146DA23 ,  4G146DA33 ,  4G146DA47 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP20 ,  5F045DQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 珪素を含む炭素被膜およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-093787   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (13)

• 硬質炭素厚膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-272094   Applicant：大同特殊鋼株式会社
• ダイヤモンド状ナノコンポジットフィルムを用いて精密エッジを保護する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-514312   Applicant：アドバンスト・リフラクトリー・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
• ミシン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-380892   Applicant：ブラザー工業株式会社, 新日鐵化学株式会社
• 情報記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-350637   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 弾性表面波素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-171780   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭62-180073
  
• アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-379077   Applicant：豊田工機株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 日本電子工業株式会社
• ドープダイヤモンド状カーボン皮膜
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-501671   Applicant：ナムローゼ・フェンノートシャップ・ベーカート・ソシエテ・アノニム
• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-141501   Applicant：株式会社日立製作所
• 超強度弾性ダイヤモンド状炭素の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-197885   Applicant：日本電気株式会社, セイコーインスツルメンツ株式会社
• 硬質非晶質炭素分散複合材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-303832   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 炭素または炭素を主成分とする膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-135983   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• ダイヤモンド状炭素膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-230363   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所