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J-GLOBAL ID：200903084907278659

半導体電子デバイス

Inventor：
池田 成明

About 池田 成明

, 
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006320785
Publication number (International publication number)：2008135575
Application date： Nov. 28, 2006
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：
【課題】アバランシェ耐量を増大させ、耐圧と信頼性とを向上させること。【解決手段】基板1上にバッファ層2を介して積層された半導体動作層3を備える半導体電子デバイスとしての電界効果トランジスタ100において、半導体動作層3は、この半導体動作層3内に形成されるチャネルとしての2次元電子ガス層7とバッファ層2との間に形成されて2次元正孔(ホール)ガス層6aを生成するp型半導体層6を有するとともに、2次元ホールガス層6aを半導体動作層3の外部に導通させる導通電極10を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上にバッファ層を介して積層された化合物半導体層を備える半導体電子デバイスにおいて、 前記化合物半導体層は、該化合物半導体層内に形成されるチャネルと前記バッファ層との間に形成されて2次元正孔ガス層を生成するp型半導体層もしくはi型半導体層を有することを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (6)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (7)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 658E
F-Term (15)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体電子デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-366328   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 高電子移動度トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-323750   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 電力用半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-327654   Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (7)
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