プラズマ発生装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999212238
Publication number (International publication number)：2001035697
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】大面積基板のエッチングや薄膜形成等の表面処理を行うのに有用なプラズマ発生装置に関わり、真空容器に絶縁体の隔壁部あるいは天板を設けてその外側に高周波アンテナを設置する従来の誘導結合型プラズマ発生装置では、放電室の径が大きくなるにつれ絶縁体の厚みを大幅に増大させなければならず、高周波電力の利用効率が低下するという問題があった。【解決手段】プラズマ発生装置の真空容器1の内部にアンテナ導体5全体を入れ、絶縁体の隔壁や天板を用いる必要をなくして、アンテナから放射される誘導電界の全てを有効利用できるようにした。またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。

Claim (excerpt)：

高周波放電による誘導結合方式のプラズマ発生装置において、高周波電力を印加して誘導電界を発生させるアンテナを真空容器内に設置したことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (2)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065

FI (2)：

H05H 1/46 L , H01L 21/302 B

F-Term (11)：

5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB23 , 5F004BB30 , 5F004BC08 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004DA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-069137 Applicant：国際電気株式会社
半導体プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-311051 Applicant：日本エー・エス・エム株式会社
付着またはエッチング工程用プラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202410 Applicant：アルカテル・セイテ

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