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J-GLOBAL ID：200903091404965981

TiSiN薄膜およびその成膜方法、半導体装置およびその製造方法、ならびにTiSiN薄膜の成膜装置

Inventor： 松瀬 公裕
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326611
Publication number (International publication number)：2001144032
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高ステップカバレージで成膜することが可能なTiSiN薄膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 Ti含有ガス、Si含有ガス、およびN含有ガスを含む成膜ガスを用いて熱CVDによりTiSiN薄膜を成膜し、前記Ti含有ガスとして、TiCl4、テトラキシジメチルアミノチタニウム、テトラキシジエチルアミノチタニウムの少なくとも1種を、前記Si含有ガスとして、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2H4、Si2H6の少なくとも1種を、前記N含有ガスとして、NH3およびモノメチルヒドラジンの少なくとも1種を用いる。

Claim (excerpt)：

熱CVDにより形成されたことを特徴とするTiSiN薄膜。

IPC (9)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (9)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (89)：

4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104GG19 ,  4M104HH05 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA01 ,  5F040DB09 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC09 ,  5F040EC12 ,  5F040EC19 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F083AD21 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 半導体装置および基板上への非晶質窒化硅素チタンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-295691   Applicant：キヤノン株式会社
• 集積回路構造のバイア又は接点開口用の改善された障壁層及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-334230   Applicant：エルエスアイロジックコーポレーション
• 特開平2-039527
  
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-108665   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234804   Applicant：株式会社東芝
• CVD-TiN膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-353819   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• キャパシタ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-032501   Applicant：三星電子株式会社
• 導電層接続構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-235378   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-329698   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148068   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-185302   Applicant：株式会社東芝
• バリアメタルの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-236387   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-016191   Applicant：日本電気株式会社