不揮発性メモリ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000395492
Publication number (International publication number)：2001223282
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ONO薄膜及びTa2O5薄膜を用いた素子より大きい充電容量を得ることができ、工程を単純化させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供するためのものである。【解決手段】本発明にかかる不揮発性メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、フローティングゲートを覆い、(TaO)1-x(TiO)xNからなる誘電体膜、そして、誘電体膜の上部に形成されたコントロールゲートを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲート、前記フローティングゲート上に形成された(TaO)1-x(TiO)xN(0.01≦x≦0.09)からなる誘電体膜、及び、前記誘電体膜の上部に形成されたコントロールゲートを含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/318 , H01L 27/115

FI (3)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

酸化タンタル制御ゲート絶縁膜を使用する自己整合型積層ゲートEPROMセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-221577 Applicant：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
誘電体膜の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-235569 Applicant：松下電子工業株式会社
タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-072504 Applicant：ソニー株式会社

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