レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004057448
Publication number (International publication number)：2005196095
Application date： Mar. 02, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】微細な解像性、LER及び焦点深度幅を向上させることを目的とするレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a)を含む質量平均分子量が8000以下の樹脂であり、前記(B)成分が、下記一般式(b-1)または(b-2)で表される少なくとも1種のスルホニウム化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分、および(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分を含有するレジスト組成物であって、前記(A)成分が、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位(a)を含む質量平均分子量8000以下の樹脂であり、前記(B)成分が、下記一般式(b-1)または(b-2)

IPC (3)：

G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R

F-Term (12)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-359905 Applicant：ダイセル化学工業株式会社
レジスト用重合体および化学増幅型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-338138 Applicant：三菱レイヨン株式会社
特許第3390702号公報

Cited by examiner (8)

スルホニウム塩及びその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-347574 Applicant：住友化学工業株式会社
光酸発生剤化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-369145 Applicant：信越化学工業株式会社
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-364726 Applicant：住友化学工業株式会社

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