Pat
J-GLOBAL ID：200903099076382958

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
米田 修二

About 米田 修二


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001168492
Publication number (International publication number)：2002368118
Application date： Jun. 04, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 バイポーラトランジスタの上方に厚膜インダクタを配置することにより、高いクオリティファクタQを有しながら、製造が簡易で低コストである半導体装置を提供すること。【解決手段】 バイポーラトランジスタ30上の2層目の配線35に層間絶縁膜41を形成し、その上へ回転塗布してSOG膜42を形成し、これをエッチバックして平坦化させた後、更度、層間絶縁膜43を形成し、その上へ回転塗布してSOG膜44を形成し、これをエッチバックして平坦化させる。次に、その上へ形成した層間絶縁膜45にAl厚膜を形成し、パターン化したレジスト膜を介しRIE法によってドライエッチングして厚膜インダクタ52を含む3層目の配線46を形成して半導体装置とする。
Claim (excerpt)：
バイポーラトランジスタとインダクタとを有する半導体装置において、前記バイポーラトランジスタ上の平坦化された層間絶縁膜の上に、スパイラル形状の厚膜インダクタが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/8222 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/732
FI (5)：
H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/04 L ,  H01L 29/72 S ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 S
F-Term (70)：
5F003BA12 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BJ18 ,  5F003BP06 ,  5F003BP15 ,  5F003BS06 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ79 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT06 ,  5F033VV00 ,  5F033VV08 ,  5F033XX01 ,  5F038AZ05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F082BA09 ,  5F082BA10 ,  5F082BA11 ,  5F082BA26 ,  5F082BC01 ,  5F082BC14 ,  5F082DA06 ,  5F082DA07 ,  5F082DA09 ,  5F082DA10 ,  5F082EA12 ,  5F082EA31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM