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J-GLOBAL ID：201002294969816276   Reference number：10A1451977

Optimization of GaN film growth condition using pulse-mode hot-mesh CVD

パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化

Author (10)： NAGATA KAZUKI (長岡技科大) ,  SATOMOTO SOICHI (長岡技科大) ,  KATAGIRI HIRONORI (長岡工高専) ,  JIMBO KAZUO (長岡工高専) ,  SUEMITSU MAKI (東北大 電通研) ,  ENDO TETSUO (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  ITO TAKASHI (東北大 電通研) ,  NAKAZAWA HIDEKI (弘前大 大学院理工学研究科) ,  NARITA YUZURU (山形大 工) ,  YASUI KANJI (長岡技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 110  Issue： 261(CPM2010 91-107)  Page： 55-58  Publication year： Oct. 21, 2010 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  *gallium nitride ,  *crystal growth ,  optimization ,  solid state device ,  Gallium ,  Vapor Pressure ,  crystallinity ,  pulse method ,  electron device ,  modification
Semi thesaurus term： atomic layer deposition ,  chemical vapor deposition ,  gallium ,  GAN ,  crystallinity ,  electron device ,  orientation

JST classification (2)： Techniques and equipment of thin film deposition  (BK14020I) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (11)：

• 赤崎勇編著. III-V族窒化物半導体. 1994
• AMANO, H. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• AKASAKI, I. J. Crystal Growth. 1989, 98, 209
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L309
• ZHANG, B. S. J. Modern. Phys. 2005, 19, 2610

Terms in the title (4)： CVD法 ,  GaN ,  成長条件 ,  最適化