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J-GLOBAL ID：201002294969816276   整理番号：10A1451977

パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化

Optimization of GaN film growth condition using pulse-mode hot-mesh CVD

著者 (10件)： 永田一樹 (長岡技科大) ,  里本宗一 (長岡技科大) ,  片桐裕則 (長岡工高専) ,  神保和夫 (長岡工高専) ,  末光真希 (東北大 電通研) ,  遠藤哲郎 (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  伊藤隆 (東北大 電通研) ,  中澤日出樹 (弘前大 大学院理工学研究科) ,  成田克 (山形大 工) ,  安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 261(CPM2010 91-107)  ページ： 55-58  発行年： 2010年10月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 紫外・青紫LED,LD,また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法においてGa原料ガス(TMGa)のパルスモード供給を行いGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。また,TMGの蒸気圧を低下させALDモードのようなTMG1パルスあたり数monolayerとなる成長条件を実現し,更なる膜質の改善を目指した。しかし,これまでの一定供給成長並びにパルス供給成長実験の結果に比べ,結晶性,配向性に改善は見出せなかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *窒化ガリウム ,  *結晶成長 ,  最適化 ,  固体素子 ,  ガリウム ,  蒸気圧 ,  結晶度 ,  パルス法 ,  電子素子 ,  改変
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  CVD法 ,  Ga ,  GaN ,  結晶性 ,  電子デバイス ,  配向性

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• 赤崎勇編著. III-V族窒化物半導体. 1994
• AMANO, H. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• AKASAKI, I. J. Crystal Growth. 1989, 98, 209
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, L309
• ZHANG, B. S. J. Modern. Phys. 2005, 19, 2610

タイトルに関連する用語 (4件)： CVD法 ,  GaN ,  成長条件 ,  最適化