半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺喜平
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2008058385
Publication number (International publication number)：WO2008136505
Application date： May. 01, 2008
Publication date： Nov. 13, 2008
Summary：

管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。所定の材料からなり、活性層41となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極51、ドレイン電極53及び画素電極55の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ2の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体(ソース電極51、ソース配線52、ドレイン電極53、ドレイン配線54及び画素電極55)を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層41とする工程とを有する方法としてある。

Claim (excerpt)：

所定の材料からなる半導体を備えた半導体デバイスであって、前記所定の材料と同じ組成の材料からなる導電体を備えたことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/20 , G09F 9/30

FI (11)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 627G , H01L29/78 612C , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/48 D , H01L29/48 F , H01L29/48 P , H01L21/20 , G09F9/30 338

F-Term (99)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104BB37 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB07 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL02 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08 , 5F152AA06 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD14 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE01 , 5F152CE16 , 5F152CE24 , 5F152CE28 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF20 , 5F152FG08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (14)

液晶表示装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-109730 Applicant：廣輝電子股ふん有限公司
非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325366 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
センサ及び非平面撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325368 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325369 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325370 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325371 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

液晶表示装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-109729 Applicant：廣輝電子股ふん有限公司

液晶表示装置とその製造方法
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