キャリア誘起強磁性体を用いた素子又は高周波素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 今村健一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004100417
Publication number (International publication number)：2005286867
Patent number：4139348
Application date： Mar. 30, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】一軸異方性を有する強磁性半導体であって、該一軸異方性と同じ方向に延在する細線構造を有するキャリア誘起型の強磁性半導体と、該強磁性半導体におけるキャリア濃度を変調する制御を行う制御手段とを有する素子又は高周波素子。

IPC (4)：

H01P 7/00 ( 200 6.01) , H01F 10/193 ( 200 6.01) , H01F 41/18 ( 200 6.01) , H01P 1/217 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01P 7/00 B , H01F 10/193 , H01F 41/18 , H01P 1/217

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-211173 Applicant：東北大学長
III-V族強磁性半導体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-220741 Applicant：科学技術振興事業団
薄膜磁気デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-321636 Applicant：三菱電機株式会社

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