Pat
J-GLOBAL ID：201103070822890662
水素分離用薄膜の製造方法
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
,
,
Agent (1)：
千明 武
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004055910
Publication number (International publication number)：2005248192
Patent number：4557570
Application date： Mar. 01, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Claim (excerpt)：
【請求項1】 反応浴に、パラジウムイオンを含有するめっき液と、還元剤と、めっき液中のパラジウムイオンを析出する被めっき物と、超臨界状態またはその形成物質と、界面活性剤とを収容し、前記反応浴に超臨界状態とエマルジョン状態を形成後、被めっき物にパラジウムイオンを析出させる無電解めっき法による水素分離用薄膜の製造方法において、前記反応浴に前記めっき液と界面活性剤とを被めっき物と非接触状態で収容後、前記反応浴に二酸化炭素を導入し、該反応浴に超臨界二酸化炭素とそのエマルジョン状態とを形成し、前記超臨界二酸化炭素を前記めっき液に溶解し、該めっき液を所定の酸性濃度に調製するとともに、前記エマルジョン状態形成後、前記還元剤を反応浴に導入して酸化還元反応を開始し、かつ該酸化還元反応時に発生した水素ガスを超臨界二酸化炭素と前記めっき液に溶解し、パラジウムイオンを被めっき物に析出させることを特徴とする水素分離用薄膜の製造方法。
IPC (3)：
C23C 18/44 ( 200 6.01)
, C23C 18/31 ( 200 6.01)
, H01M 8/06 ( 200 6.01)
C23C 18/44
, C23C 18/31 A
, H01M 8/06 G
Cited by examiner (12)
-
電気化学的反応方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-253572
Applicant：吉田英夫, 宮田清蔵, 浅井美博
-
パラジウムまたはパラジウム合金被覆多孔質体の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-382522
Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
-
水素透過膜及びその作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-103695
Applicant：東京瓦斯株式会社
-
Pd系水素分離膜を製造する方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-354733
Applicant：三菱重工業株式会社, 社団法人日本化学工業協会
-
特開昭62-107073
-
無電解メッキ処理方法およびその装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-269893
Applicant：ソニー株式会社
-
ガラス回路基板
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-284073
Applicant：キヤノン株式会社
-
特開昭63-024072
-
無電解パラジウムめっき方法及びそれに用いる無電解めっき浴
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-093966
Applicant：日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
-
陽極酸化法およびその処理装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-387780
Applicant：吉田英夫
-
ガス分離体の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-393850
Applicant：日本碍子株式会社
-
水素分離膜の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-180165
Applicant：松下電器産業株式会社
Show all
Return to Previous Page
