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J-GLOBAL ID：201103070822890662

水素分離用薄膜の製造方法

Inventor：
上宮 成之

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吉田 英夫

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曽根 正人

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佐藤 信義

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宮田 清蔵

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Applicant, Patent owner：
上宮 成之

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吉田 英夫

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旭化成エンジニアリング株式会社

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Agent (1)： 千明 武
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004055910
Publication number (International publication number)：2005248192
Patent number：4557570
Application date： Mar. 01, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Claim (excerpt)：
【請求項1】 反応浴に、パラジウムイオンを含有するめっき液と、還元剤と、めっき液中のパラジウムイオンを析出する被めっき物と、超臨界状態またはその形成物質と、界面活性剤とを収容し、前記反応浴に超臨界状態とエマルジョン状態を形成後、被めっき物にパラジウムイオンを析出させる無電解めっき法による水素分離用薄膜の製造方法において、前記反応浴に前記めっき液と界面活性剤とを被めっき物と非接触状態で収容後、前記反応浴に二酸化炭素を導入し、該反応浴に超臨界二酸化炭素とそのエマルジョン状態とを形成し、前記超臨界二酸化炭素を前記めっき液に溶解し、該めっき液を所定の酸性濃度に調製するとともに、前記エマルジョン状態形成後、前記還元剤を反応浴に導入して酸化還元反応を開始し、かつ該酸化還元反応時に発生した水素ガスを超臨界二酸化炭素と前記めっき液に溶解し、パラジウムイオンを被めっき物に析出させることを特徴とする水素分離用薄膜の製造方法。
IPC (3)：
C23C 18/44 ( 200 6.01) ,  C23C 18/31 ( 200 6.01) ,  H01M 8/06 ( 200 6.01)
FI (3)：
C23C 18/44 ,  C23C 18/31 A ,  H01M 8/06 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (14)
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