パターン形成方法、パターン、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高松猛 , 矢澤清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010005341
Publication number (International publication number)：2011145424
Application date： Jan. 13, 2010
Publication date： Jul. 28, 2011
Summary：

【課題】感度及び解像力が高く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、露光ラチチュード(EL)及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。【解決手段】(ア)(A)2個以上の水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び(D)溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(ア)(A)2個以上の水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋剤、及び(D)溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法。

IPC (7)：

G03F 7/038 , G03F 7/004 , G03F 7/32 , G03F 7/38 , H01L 21/027 , C08F 20/26 , G03F 7/039

FI (8)：

G03F7/038 601 , G03F7/004 501 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R , C08F20/26 , G03F7/039 601

F-Term (91)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H096GA18 , 2H125AE03P , 2H125AE04P , 2H125AE05P , 2H125AE06P , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF19P , 2H125AF20P , 2H125AF21P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF39P , 2H125AF45P , 2H125AH11 , 2H125AH12 , 2H125AH14 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH24 , 2H125AJ14X , 2H125AJ16X , 2H125AJ16Y , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ67X , 2H125AJ68X , 2H125AJ74X , 2H125AJ88Y , 2H125AJ97Y , 2H125AL02 , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AL22 , 2H125AL23 , 2H125AM10P , 2H125AM12P , 2H125AM22P , 2H125AM23P , 2H125AM27P , 2H125AM66P , 2H125AM86P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN37P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN45P , 2H125AN51P , 2H125AN54P , 2H125AN57P , 2H125AN62P , 2H125AN63P , 2H125AN65P , 2H125AN86P , 2H125AN88P , 2H125BA01P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC17 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA11Q , 4J100BA40Q , 4J100BC04R , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09R , 4J100BC53Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

ポリイミド系光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板保護用皮膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-293029 Applicant：信越化学工業株式会社
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