Pat
J-GLOBAL ID：201203014905868197

誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材

Inventor：
是津 信行

About 是津 信行

, 
山村 和也

About 山村 和也


Applicant, Patent owner：
国立大学法人大阪大学

About 国立大学法人大阪大学


Agent (3)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫 ,  関口 久由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010208747
Publication number (International publication number)：2012062543
Application date： Sep. 17, 2010
Publication date： Mar. 29, 2012
Summary：
【課題】 誘電体基材の表面に結合させてグラフト化した錯化高分子に、金属イオンを配位結合させた後、大気圧プラズ処理による還元により無電解めっきにおける触媒金属ナノ粒子を形成する誘電体基材表面の金属化方法において、金属ナノ粒子形成機構及び無電解めっき反応における自己触媒作用を解明し、処理条件を検討することにより、誘電体基材表面に密着性が良く品質が優れた金属膜を形成することが可能な誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法を提供し、併せて金属膜付き誘電体基材を提供する。【解決手段】 誘電体基材表面に導入した親水性官能基を反応点として、錯化高分子を自発的に共有結合させて高密度にグラフト化させた後、未反応の錯化高分子を洗浄除去すること、及び金属の前駆体をプラズマ還元処理により、分解、還元して50〜200nmのサイズの金属ナノ粒子を三次元的に成長させた。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
誘電体基材の表面を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して表面に親水性官能基を導入する工程、 既に重合された一次構造が明確な錯化高分子を塗布し、前記親水性官能基を反応点として、錯化高分子を自発的に共有結合させて高密度にグラフト化させる工程、 前記誘電体基材に直接結合していない未反応の錯化高分子を洗浄除去する工程、 目的とするめっき層と同じ金属種を含む前駆体を液相法により誘電体基材の表面に塗布し、前記錯化高分子に前駆体を配位結合させる工程、 前記前駆体により導入された金属イオンを含む錯化高分子膜を、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して、金属イオンを原子状金属へ還元させるとともに、生成した原子状金属が自己組織的に凝集することにより、三次元的に50〜200nmのサイズの金属ナノ粒子に成長させる工程、 金属ナノ粒子が表面に形成された前記誘電体基材を無電解めっき浴中に浸漬して、金属ナノ粒子を触媒として金属層を形成する工程、 とよりなる誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法。
IPC (2)：
C23C 18/20 ,  C23C 18/31
FI (2)：
C23C18/20 A ,  C23C18/31 Z
F-Term (16)：
4K022AA13 ,  4K022AA15 ,  4K022AA16 ,  4K022AA25 ,  4K022AA41 ,  4K022AA42 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022CA04 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022CA25 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM