窒化物半導体構造

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012049445
Publication number (International publication number)：2012182459
Patent number：5451796
Application date： Mar. 06, 2012
Publication date： Sep. 20, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板上に形成された、複数の開口部を有するマスク層と、前記複数の開口部のそれぞれに形成された複数の窒化物半導体多層薄膜とを備える窒化物半導体構造であって、前記窒化物半導体基板のらせん成分を含む貫通転位密度はNcm-2(103≦N≦107)であり、前記複数の開口部の各開口部の面積は1/Ncm2以下であり、前記窒化物半導体多層薄膜は、前記開口部に島状に独立して形成され、前記島状に形成された窒化物半導体多層薄膜のうち少なくとも一つの窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面について、前記界面を構成する原子テラスのうち最も広い原子テラスが、前記界面の面積の80%以上の面積を持つことを特徴とする窒化物半導体構造。

IPC (2)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , C30B 29/38 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法及びこれを備えた半導体光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-330068 Applicant：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社
GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-039411 Applicant：住友電気工業株式会社
無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-350701 Applicant：三菱電線工業株式会社

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