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J-GLOBAL ID：201403064112756721

太陽電池及びその製造方法

Inventor：
河口 研一

About 河口 研一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012259941
Publication number (International publication number)：2014107441
Application date： Nov. 28, 2012
Publication date： Jun. 09, 2014
Summary：
【課題】青色から紫外域の光を高効率に光電変換しうる太陽電池を提供する。【解決手段】p型の半導体基板と、半導体基板上に形成されたp型GaN層、p型GaN層上に形成されたInGaN光吸収層及びInGaN光吸収層上に形成されたn型GaN層を有する柱状構造体とを有している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
p型の半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたp型GaN層と、前記p型GaN層上に形成されたInGaN光吸収層と、前記InGaN光吸収層上に形成されたn型GaN層とを有する柱状構造体と を有することを特徴とする太陽電池。
IPC (2)：
H01L 31/06 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L31/04 E ,  H01L21/205
F-Term (28)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB39 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DB02 ,  5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151AA16 ,  5F151CB08 ,  5F151CB12 ,  5F151DA01 ,  5F151DA04 ,  5F151DA07 ,  5F151FA04 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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