アバランシェフォトダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016113456
Publication number (International publication number)：2017220550
Application date： Jun. 07, 2016
Publication date： Dec. 14, 2017
Summary：

【課題】Ga2O3単結晶を用いたアバランシェフォトダイオードを提供する。【解決手段】n型のGa2O3系単結晶層10と、Ga2O3系単結晶層10に積層された誘電体層11と、誘電体層11に接続されたアノード電極12と、Ga2O3系単結晶層10に接続されたカソード電極13と、を有し、アノード電極12とカソード電極13の間に逆方向電圧を印加することにより、Ga2O3系単結晶層10と誘電体層11との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、アバランシェフォトダイオードを提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型のGa2O3系単結晶層と、前記Ga2O3系単結晶層に積層された誘電体層と、前記誘電体層に接続されたアノード電極と、前記Ga2O3系単結晶層に接続されたカソード電極と、を有し、前記アノード電極と前記カソード電極の間に逆方向電圧を印加することにより、前記Ga2O3系単結晶層と前記誘電体層との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、アバランシェフォトダイオード。

IPC (1)：

H01L 31/107

FI (1)：

H01L31/10 B

F-Term (7)：

5F849AA07 , 5F849AB01 , 5F849BA03 , 5F849BA05 , 5F849FA05 , 5F849GA03 , 5F849XB38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-151488 Applicant：ソニー株式会社
光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-203923 Applicant：日本放送協会
紫外線センサ、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-038512 Applicant：日本軽金属株式会社, トーニック株式会社