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J-GLOBAL ID：201703005606268998
アバランシェフォトダイオード
佐々木 公平
, About 佐々木 公平
大島 孝仁
About 大島 孝仁
Applicant, Patent owner：
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
, About 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
国立大学法人佐賀大学
About 国立大学法人佐賀大学
Agent (4)： 平田 忠雄 , 岩永 勇二 , 遠藤 和光 , 伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016113456
Publication number (International publication number)：2017220550
Application date： Jun. 07, 2016
Publication date： Dec. 14, 2017
Summary：
【課題】Ga2O3単結晶を用いたアバランシェフォトダイオードを提供する。【解決手段】n型のGa2O3系単結晶層10と、Ga2O3系単結晶層10に積層された誘電体層11と、誘電体層11に接続されたアノード電極12と、Ga2O3系単結晶層10に接続されたカソード電極13と、を有し、アノード電極12とカソード電極13の間に逆方向電圧を印加することにより、Ga2O3系単結晶層10と誘電体層11との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、アバランシェフォトダイオードを提供する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
n型のGa2O3系単結晶層と、
前記Ga2O3系単結晶層に積層された誘電体層と、
前記誘電体層に接続されたアノード電極と、
前記Ga2O3系単結晶層に接続されたカソード電極と、
を有し、
前記アノード電極と前記カソード電極の間に逆方向電圧を印加することにより、前記Ga2O3系単結晶層と前記誘電体層との接合部にアバランシェブレークダウンを生じさせることができる、
アバランシェフォトダイオード。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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受光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-151488 Applicant：ソニー株式会社 -
光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-203923 Applicant：日本放送協会 -
紫外線センサ、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-038512 Applicant：日本軽金属株式会社, トーニック株式会社
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