薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人浅村特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014016635
Publication number (International publication number)：2015144176
Patent number：6308583
Application date： Jan. 31, 2014
Publication date： Aug. 06, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と、を備え、前記半導体層が均一の組成であり、前記ソース電極および前記ドレイン電極のうち少なくとも一方と前記半導体層との界面が3次元構造を有し、前記チャネルに対応する前記半導体層の少なくとも一部の膜厚が、前記ソース電極および前記ドレイン電極のうちの少なくとも一方との前記界面を有する前記半導体層の少なくとも一部の膜厚と比較して薄い、薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/28 ( 200 6.01) , H01L 29/41 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 618 B , H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 R , H01L 29/44 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-054122 Applicant：パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
薄膜の加工方法、容量素子の製造方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-054187 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-163158 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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