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J-GLOBAL ID：201702233883208473   整理番号：17A0717780

高温高湿下におけるSiC MOSFETの放射線応答の改善

Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity conditions

著者 (17件)： TAKEYAMA Akinori (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  MATSUDA Takuma (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  MATSUDA Takuma (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOKOSEKI Takashi (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  YOKOSEKI Takashi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  MITOMO Satoshi (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  MITOMO Satoshi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  MURATA Koichi (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  MURATA Koichi (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  MAKINO Takahiro (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  ONODA Shinobu (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN) ,  OKUBO Shuichi (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  TANAKA Yuki (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KANDORI Mikio (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  YOSHIE Toru (Sanken Electric Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  HIJIKATA Yasuto (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OHSHIMA Takeshi (National Inst. for Quantum and Radiological Sci. and Technol., Gumma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 10  ページ： 104101.1-104101.4  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 耐熱性と耐放射線性に優れた炭化ケイ素(SiC)上に作製した,金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を,東京電力福島第一原子力発電所の廃棄電動装置として有望視されている。本報告では,MGy領域までのガンマ線を照射したSiC MOSFETの,高温下における電気的特性に及ぼす湿度の影響を示した。高湿度条件下でガンマ線を照射したSiC MOSFETの放射応答を調査した。線量の増加に伴い,I_D-V_G曲線の負のシフトの抑制と漏れ電流の急激な減少が観察された。SiC MOFETを高温で加湿条件下で照射すると,乾燥N₂で照射されたSiC MOSFETと比較して,酸化物および界面にトラップされた電荷のより大きなアニール効果が得られた。特に,界面トラップは,800kGy以上で著しく減少した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *試験 ,  *炭化ケイ素 ,  *放射線感受性 ,  *MOSFET ,  γ線照射 ,  電流電圧特性 ,  *キャリア捕獲 ,  熱処理 ,  *高温高湿試験 ,  電荷捕獲 ,  アニーリング効果
準シソーラス用語： SiC ,  放射線応答性 ,  電荷トラップ ,  アニール効果

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ガンマ線との相互作用  (BK16020W) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (32件)：

• K. Nagatani, S. Kiribayashi, Y. Okada, K. Otake, K. Yoshida, S. Tadokoro, T. Nishimura, T. Yoshida, E. Koyanagi, M. Fukushima, and S. Kawatsuma, J. Field Robotics 30, 44 (2013).
• J. Cho, Y. Choi, and K. Jeong, Health Phys. 106, S47 (2014).
• H. Cho and T. Woo, Nucl. Technol. Radiat. Prot. 30, 318 (2015).
• T. Ohshima, S. Onoda, N. Iwamoto, T. Makin, M. Arai, and Y. Tanaka, in Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, ed. Y. Hijikata (InTech, Rijeka, 2013) Chap. 16.
• T. Ohshima, M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Aoki, and I. Nashiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1002 (1998).

タイトルに関連する用語 (5件)： 高温高湿 ,  SiC ,  MOSFET ,  放射線 ,  応答