特許
J-GLOBAL ID：201103079452289929
薄膜作製方法及び薄膜作製装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
, 栗原 浩之
, 村中 克年
, 光石 俊郎
, 光石 忠敬
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-374182
公開番号（公開出願番号）：特開2005-139476
特許番号：特許第3937411号
出願日： 2003年11月04日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板が収容されるチャンバの内部にハロゲンガスを供給し、
少なくとも一種類の高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る元素を含む材料で形成され且つ前記ハロゲンガスを解離する化学活性を有する被エッチング部材を、所定の第1の温度に制御して、前記ハロゲンガスを解離したラジカル又は前記ハロゲンガスを励起したイオン種でエッチングすることにより少なくとも前記元素とハロゲンとの前駆体を形成し、
前記基板の温度を、前記被エッチング部材の温度よりも低い第2の温度に制御することにより前記前駆体を基板に吸着させる一方、
別途ハロゲンガスのラジカルを形成し、このラジカルを前記チャンバ内の前記基板の表面近傍に補給して、別途形成したラジカルにより、吸着状態となっている前記前駆体からハロゲンを引き抜いて少なくとも前記前駆体の元素成分を基板に析出させて所定の成膜を行うことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (3件)：
C23C 16/448 ( 200 6.01)
, C23C 16/14 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 16/448
, C23C 16/14
, H01L 21/285 C
