特許
J-GLOBAL ID:201503016585980738

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-529942
特許番号:特許第5823294号
出願日: 2010年09月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】炭化シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成する工程と、 水素を含むガス中で前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜をアニールする工程と、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニール後、前記酸化シリコン膜上に酸窒化アルミニウム膜を形成する工程と、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜をアニールする工程の前に、前記酸化シリコン膜に窒素プラズマを照射する工程とを含み、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニールは、水素と窒素とを混合したフォーミングガス中で450〜1000°Cの温度条件下で行われ、 前記フォーミングガスは、3%の水素と97%の窒素とを含み、 前記炭化シリコン基板および前記酸化シリコン膜のアニールは、1000°Cの温度条件下で30分間行われた後、450°Cの温度条件下で30分間行われる、半導体装置の製造方法。
IPC (9件):
H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (15件):
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/04 C
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (3件)

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