特許
J-GLOBAL ID：202103005763211960 高速フォトディテクターアレー
出願人/特許権者：
国立研究開発法人情報通信研究機構
国立研究開発法人情報通信研究機構 について
代理人 (2件)： 廣瀬 隆行 , 関 大祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-053741
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157117
特許番号：特許第6884948号
出願日： 2017年03月17日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のフォトディテクター(9)が2次元アレイ状に配置され,前記複数のフォトディテクターの間に幅が4μm以下の配線(12)を有する,2次元フォトディテクターアレーを有し,
それぞれのフォトディテクターの受光領域は,1辺が100μm以下であり,
前記2次元アレイ状に配置された複数のフォトディテクターは,それぞれ20μm以上離れて配置され,
前記複数のフォトディテクター(9)のそれぞれは,
光が入射する裏面基板と,
前記裏面基板を透過した光が入射する光吸収層と,
前記光吸収層を経た光のうち,前記光吸収層に吸収されたかった光である残留光が入射する表面電極と,を有し,
前記残留光は,前記表面電極で反射し,前記光吸収層へ入射する,裏面入射型構造を有し,
複数の変調領域(5)を有する変調部(7)をさらに有し,
前記複数のフォトディテクター(9)は,前記変調部(7)を経た光を受光する,
光検出器。
IPC (4件)： FI (4件)：
引用特許：
審査官引用 (8件)
- 上面入射型受光素子アレイ
公報種別：公開公報 出願番号：特願2004-058482 出願人：住友電気工業株式会社 - 半導体受光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2003-406396 出願人：浜松ホトニクス株式会社 - フォトダイオードアレイ
公報種別：公開公報 出願番号：特願2010-244686 出願人：浜松ホトニクス株式会社
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