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J-GLOBAL ID：201702220750642464   整理番号：17A0606005

高感度a-InGaZnO TFT pHセンサのドリフト制御とV_gs出力応答

著者 (6件)： 岩松新之輔 (山形県工業技術センター) ,  阿部泰 (山形県工業技術センター) ,  今野俊介 (山形県工業技術センター) ,  加藤睦人 (山形県工業技術センター) ,  竹知和重 (NLTテクノロジー(株)) ,  田邉浩 (NLTテクノロジー(株))
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 137  号： 3  ページ： 89-94(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,a-InGaZnO TFT pHセンサを用いて0.01以下の微小pH変化を検出することを目的として,間欠駆動によるドレイン電流のドリフト抑制について検討するとともに,V_gsを出力としたpH測定を確立したので報告した。間欠駆動時のI_ds応答を評価した結果,休止時のV_gsを負に保持することで,ドリフト低減が可能であることが明らかとなった。V_gsを出力とした測定系を構築し,pHに対する応答を評価した結果,線形的に出力変化が観察され,pH感度は約450mV/pHを示した。

シソーラス用語： *高感度 ,  *非晶質半導体 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  *pHセンサ ,  *ドリフト ,  感受性 ,  金型 ,  電圧 ,  ソース【半導体】 ,  減少 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  pH感受性 ,  金型ゲート ,  *センサ
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  pH感度 ,  ゲート【金型】 ,  ゲート電圧 ,  ドリフト低減

著者キーワード (12件)： pHセンサ ,  インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  トップゲート効果 ,  高感度 ,  ドリフト ,  pH sensor ,  a-InGaZnO ,  TFT ,  top-gate effect ,  high sensitivity ,  drift

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• (1) S. Iwamatsu, K. Takechi, T. Yahagi, Y. Abe, H. Tanabe, and S. Kobayashi : “Fabrication of suspended amorphous indium-gallium-zinc oxide thin-film transistors using bulk micromachining techniques”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 53, No. 6, pp. 066503-066509 (2014)
• (2) H.-W. Zan, C.-H. Li, C.-C. Yeh, M.-Z. Dai, H.-F. Meng, and C.-C. Tsai : “Room-temperture-operated sensitive hybrid gas sensor based on amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors”, Applied Physics Letters, Vol. 98, No. 25, pp. 253503-253505 (2011)
• (3) Y.-H. Taia, H.-L. Chiub, and L.-S. Choub : “Active matrix touch sensor detecting time-constant change implemented by dual-gate IGZO TFTs”, Solid-State Electronics, Vol. 72, No. 1, pp. 67-72 (2012)
• (4) K. Takechi, M. Nakata, K. Azuma, H. Yamaguchi, and S. Kaneko : “Dual-Gate Characteristics of Amorphous Thin-Film Transistors as Compared to Those of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors”, Electron Devices, IEEE Transactions, Vol. 56, No. 9, pp. 2027-2033 (2009)
• (5) K. Takechi, S. Iwamatsu, T. Yahagi, Y. Watanabe, S. Kobayashi, and H. Tanabe : “Characterization of top-gate effects in amorphous InGaZnO4 thin-film transistors using a dual-gate structure”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 51, No. 10R, pp. 104201-104207 (2012)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高感度 ,  TFT ,  pHセンサ ,  ドリフト ,  応答