半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：平田忠雄 , 岩永勇二 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-129307
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197737
出願日： 2016年06月29日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：

【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa2O3系の半導体素子及びその製造方法、並びにその半導体素子の製造に用いることができる結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、0.05μm以上かつ10μm未満の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板11と、Ga2O3系結晶からなり、下地基板11上のエピタキシャル層12と、を有するショットキーダイオード10を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

0.05μm以上かつ10μm未満の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板と、 Ga2O3系結晶からなり、前記下地基板上のエピタキシャル層と、を有する、半導体素子。

IPC (13件)：

H01L 29/872 , C30B 29/16 , H01L 21/28 , H01L 21/329 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/786 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/20 , H01L 21/363 , H01L 21/365

FI (16件)：

H01L29/86 301D , C30B29/16 , H01L21/28 301B , H01L29/86 301F , H01L29/86 301P , H01L29/78 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 653C , H01L29/78 658E , H01L29/78 658K , H01L29/86 301M , H01L29/78 618B , H01L29/80 B , H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/365

Fターム (101件)：

4G077AA03 , 4G077BB10 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077FD02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4M104AA03 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB14 , 4M104FF13 , 4M104GG03 , 4M104HH20 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ05 , 5F102GJ09 , 5F102GJ10 , 5F102GK01 , 5F102GL01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT04 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL13 , 5F103RR05 , 5F110AA13 , 5F110AA23 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110QQ14 , 5F110QQ16 , 5F140AA25 , 5F140AA34 , 5F140AC23 , 5F140BA00 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF13 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF16 , 5F140BF17 , 5F140BJ01 , 5F140BJ03 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F152LL03 , 5F152LL07 , 5F152LL09 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM02 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152NN01 , 5F152NN27 , 5F152NQ01

引用特許：

審査官引用 (12件)

III-V族化合物半導体単結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-014587 出願人：住友電気工業株式会社
炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-582844 出願人：クリーインコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-017266 出願人：新日本無線株式会社

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